主要特点:
♦ 具有良好的化学、物理和机械性能
♦ 转换效率高、较高的热导系数
♦ 光电系数高，介电常数低
♦ 较宽的温度和光谱带宽
♦ 角度带宽，走离角度小
典型应用:
♦ 掺钕激光的倍频、混频
♦ 光波导应用
♦ 电光调制器，光学开关，耦合器
♦ 光参量放大器（OPA）和光参量振荡器（OPO）
KDP&KD*P 透过曲线
技术参数
参数名称 | 数值及范围 |
尺寸公差 | ±0.1 mm |
角度公差 | < ±0.2° |
通光孔径 | > 90% |
光洁度 | 20/10 |
平面度 | < λ/8@633nm |
波前畸变 | < λ/8@633nm |
平行度 | < 20 arc sec |
垂直度 | < 5 arc min |
镀膜 | 根据客户要求 |
质保期 | 1 年（正常使用下） |
晶体结构和物理特性
| 参数名称 | KDP 数值及范围 | KD*P 数值及范围 |
化学式 | KH2PO4 | KD2PO4 |
晶体参数 | a=b=7.4529, c=6.9751 | a=b=7.4697, c=6.9766 |
密度 | 2.332 g/cm3 | 2.355 g/cm3 |
莫氏硬度 | 2.5 | 2.5 |
透射范围 | 200 -1500 nm | 200 - 1600 nm |
非线性系数 | d36=0.44 pm/V | d36=0.40 pm/V |
折射率 | no=1.4938，ne=1.4599 | no=1.4948，ne=1.4554 |
电光系数 | r41=8.8 pm/V；r63=10.3 pm/V | r41=8.8 pm/V；r63=25 pm/V |
纵向半波电压 | Vπ=7.65 KV (λ= 546 nm) | Vπ=2.98 KV (λ= 546 nm) |
吸收 | 0.07/cm | 0.006/cm |
损伤阈值 | ＞5 GW/cm2 | ＞3 GW/cm2 |
消光比 | 30 dB | 30 dB |
KDP Sellmeier 方程 | ||
no2=2.259276 + 0.01008956/(λ2 - 0.012942625) + 13.00522λ2/(λ2 - 400) ne2=2.132668 + 0.008637494/(λ2 - 0.012281043) + 3.2279924λ2/(λ2 - 400) | ||
KD*P Sellmeier 方程 | ||
no2=1.9575544 + 0.2901391λ2/(λ2 - 0.0281399) - 0.02824391λ2 + 0.004977826λ4 ne2=1.5005779 + 0.6276034λ2/(λ2 - 0.0131558) - 0.01054063λ2 + 0.002243821λ4 | ||
标准产品
| 型号 | 尺寸（mm） | θ（°） | Φ（°） | 镀膜 | 应用 |
| KDP-1201 | 12 × 12 × 5 | 76.5 | 45 | AR/AR@532/266 nm | SHG@532 nm, Type 1 |
| KDP-1501 | 15 × 15 × 7 | 76.5 | 45 | AR/AR@532/266 nm | SHG@532 nm, Type 1 |
| 型号 | 尺寸（mm） | θ（°） | Φ（°） | 镀膜 | 应用 |
| DKDP-1501 | 15 × 15 × 13 | 36.5 | 45 | AR/AR@1064+532 nm | SHG@1064 nm, Type 1 |
| DKDP-1502 | 15 × 15 × 13 | 53.5 | - | AR/AR@1064+532 nm | SHG@1064 nm, Type 2 |
| DKDP-1201 | 12 × 12 × 20 | 53.5 | - | AR/AR@1064/1064+532 nm | SHG@1064 nm, Type 2 |
| DKDP-1503 | 15 × 15 × 20 | 53.5 | - | AR/AR@1064/1064+532 nm | SHG@1064 nm, Type 2 |
| DKDP-1202 | 12 × 12 × 20 | 59.3 | - | AR/AR@1064+532/355 nm | THG@1064 nm, Type 2 |
| DKDP-1504 | 15 × 15 × 20 | 59.3 | - | AR/AR@1064+532/355 nm | THG@1064 nm, Type 2 |
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